1,純度:4N(99.99%);
2,P型:碲化鉍摻銻(doped Antimony)
N型:碲化鉍摻硒(doped Selenium)
3, 應用:形成P/N節用于半導體制冷,溫差發電等;
4,技術對接:真空熔煉--引晶(晶體定向生長)--區域熔煉--去除兩端;
5,粒度:顆粒;粉末:3微米左右(可噴涂)制備P/N節;
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詳細信息 P/N型碲化鉍 Bi2Te3
1,純度:4N(99.99%);
2,P型:碲化鉍摻銻(doped Antimony)
N型:碲化鉍摻硒(doped Selenium)
3, 應用:形成P/N節用于半導體制冷,溫差發電等;
4,技術對接:真空熔煉--引晶(晶體定向生長)--區域熔煉--去除兩端;
5,粒度:顆粒;粉末:3微米左右(可噴涂)制備P/N節;
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