1,物理性質(zhì)：

密度：6.20

熔點：1041℃

禁帶寬度：1.46 eV

2，純度：99.9999%；

3，規(guī)格：晶片（wafers)；

4，檢測：GDMS，XRD;

5，技術(shù)對接：CVD工藝：1molCd+1molTe=1molCdTe,進行二次處理后，再經(jīng)過引晶，區(qū)域熔煉，生長碲化鎘單晶--線切割--打磨拋光；

6，服務(wù)：提供免費樣品，MSDS及實用的防護措施；

7，應(yīng)用：紅外窗場致發(fā)光器件，紅外探測，X射線探測，核放射性探測器，接近可見光區(qū)的發(fā)光器件；

8，包裝：明礬分裝（取料時只需溫水溶化）；